도쿄--(뉴스와이어)--세계적인 메모리 솔루션 분야의 리더인 키오시아(Kioxia Corporation)와 모델링 및 설계 기술 분야의 선도적인 개발업체인 MoDeCH Inc.는 지난 9월 26일에 열린 유럽 마이크로파 회의(EuMC, European Microwave Conference)에서 최대 110GHz까지의 3차원(3D) 물체 고주파 특성 측정을 위한 프로빙 시스템[1]을 업계 최초로 개발했다고 발표했다.
기존에는 프로세서 마더보드의 고속 인터페이스 커넥터에 데이터 센터의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)가 삽입됐다. 이런 상황에서 PCIe®와 같은 고속 인터페이스 전송 선로는 직교 카드 에지 커넥터를 통해 프로세서의 마더보드에서 SSD의 인쇄 회로 기판(PCB)으로 확장되는 3D 구조를 채택한다(그림 1). 이러한 3D 구조의 고주파 특성은 일반적으로 시뮬레이션으로 평가된다. 그리고 이제는 새로 개발된 3D 프로빙 시스템을 통해 최초로 110GHz까지의 3D 구조 특성을 직접 측정할 수 있는 시대가 열리게 됐다.
키오시아와 MoDeCH는 3D 구조의 고주파 특성을 측정하기 위해 3D 프로브 스테이션을 개발했다(그림 2). 고주파 프로브와 주파수 확장기를 함께 회전시키는 내장 메커니즘이 통합된 이 스테이션은 측정을 위해 3D 구조와 접촉한다.
또한 두 회사는 개별 3D 구조(그림 3)의 정확한 고주파 특성 측정을 위해 스루(thru) 표준을 개발했다. 수직으로 구부러진 3D 구조를 평가할 목적으로, 지그를 통해 수직으로 구부러지고 제자리에 고정된 유연한 기판에 스루가 만들어지면서 표준 스루를 만들어냈다.
새로 개발된 3D 프로빙 시스템은 개발된 3D 프로빙 시스템과 3D 구조용 스루 표준을 사용해 직교 커넥터를 통해 연결된 2개의 PCB에서 두 전송 선로의 고주파 특성을 최대 110GHz까지 성공적으로 측정했다(그림 4).
업계 최초로 이루어진 이 개발은 일본 신에너지 산업기술 종합개발기구(NEDO)가 위탁한 ‘포스트 5G 정보통신 시스템을 위한 향상된 인프라 연구개발 프로젝트(Research and Development Project of the Enhanced Infrastructures for Post 5G Information and Communication Systems)’(JPNP 20017)의 결실이다.
주석
[1]. Y. 사쿠라바 외, ‘3차원 물체의 S파라미터 측정을 위한 110GHz 프로빙 시스템(A 110-GHz Probing System for S-parameter Measurements of Three-Dimensional Objects)’, 유럽 마이크로파 회의 2024 (EuMC 2024), EuMC46-4
본 언론 보도에 사용된 이미지는 이 논문에서 가져왔다.
* 모든 회사명, 상품명 및 서비스명은 각 회사의 상표일 수 있으므로 유의해야 한다.
MoDeCH 소개
MoDeCH는 전자 산업을 위한 모델링 및 설계 기술을 개발하는 회사다. MoDeCH는 전자 부품, 반도체 및 수동 소자의 모델링, 회로 설계 지원 및 분석 서비스를 제공하고 측정 소프트웨어를 개발함으로써 기업들의 제조 서비스 디지털화를 돕고 있다.
키오시아 소개
키오시아(Kioxia)는 메모리 솔루션 분야의 선도업체로, 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 개발, 생산, 판매한다. 2017년 4월 키오시아의 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 낸드(NAND) 플래시 메모리를 발명한 도시바(Toshiba Corporation)에서 독립했다. 키오시아는 고객에게 다양한 선택지를 선사하고 사회에는 메모리 기반 가치를 만들어 내는 제품, 서비스, 시스템을 제공한다. 당사는 이를 통해 ‘메모리’로 더 좋은 세상을 만들기 위해 노력하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 첨단 스마트폰, PC, SSD, 차량 및 데이터 센터를 포함하는 고밀도 애플리케이션 분야에서 스토리지의 미래를 그려나가고 있다.
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